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第一讲 作业

1、【单选题】在硅片晶向、掺杂类型介绍中，由硅片断裂边形成的角度是60º可知硅片是什么晶向?

A、（100）

B、（111）

C、（110)

D、(211)

2、【单选题】磷在硅熔体与晶体中的分凝系数约为0.35，这使得液相掺杂拉制的掺磷硅锭的电阻率：

A、轴向均匀

B、轴向递减

C、轴向递増

D、径向递减

3、【多选题】关于拉单晶时进行的缩颈步骤，下面的说法那种正确

A、可以多次缩颈

B、为了能拉出与籽晶相同的硅锭

C、为了终止籽晶中的线缺陷向晶锭的延伸

D、为了终止与籽晶结合处的缺陷向晶锭的延伸

4、【判断题】在空间微重力室用CZ法也能拉制出大尺寸优质晶锭

A、正确

B、错误

5、【填空题】拉单晶的干锅污染主要是由于坩埚材料分解出的 造成。

A、

第二讲 作业

1、【单选题】VPE制备n+/p-Si，结果pn结进入了衬底，这是什么原因造成的：

A、自掺杂效应

B、互扩散效应

C、衬底表面没清洗干净的缘故。

D、掺杂气体不纯

2、【多选题】在VPE、MBE、SEG、LPE、SPE、UHV/CVD、MOCVD中，哪种外延方法能生长杂质陡变分布的薄外延层？

A、MBE

B、VPE、LPE

C、UHV/CVD

D、SEG、SPE

3、【判断题】如果外延速率偏低，只要增大外延气体中硅源（如SiCl4）浓度，硅的气相外延速率就会增加。

A、正确

B、错误

4、【填空题】外延工艺就是在晶体衬底上，用物理的或化学的方法生长 薄膜。

A、

5、【填空题】VPE制备n-/n+ -Si用硅烷为源，硅烷是在 完成的分解。可从下面选择：气相硅片表面n-/n+Si界面

A、

第三讲 作业

1、【单选题】通常掩膜氧化采用的工艺方法为：

A、掺氯氧化

B、干氧

C、干氧-湿氧-干氧

D、低压氧化

2、【多选题】关于氧化速率下面哪种描述是正确的：

A、生长非常薄（<十几nm）的栅氧化层时，氧化速率服从线性规律

B、温度升高氧化速率迅速增加

C、（111）硅比（100）硅氧化得快

D、有杂质（如Na、P等）存在，氧化速率降低

E、生长的氧化层较薄时，氧化速率服从线性规律

F、生长的氧化层较厚时，氧化速率服从线性线规律

3、【判断题】制作一硅晶体管芯片，在最后用热氧化方法制备了一层SiO2作为保护层。

A、正确

B、错误

4、【填空题】热氧化速率快慢排序： 氧化最快、 氧化次之、 氧化最慢。（从“干氧、湿氧、水汽”中选择填空，中间用“、”隔开）

A、

5、【填空题】热氧化过程中杂质在SiO2/Si界面的浓度是突变的，这是由杂质 引起的。（两个字）

A、

第四讲 作业

1、【单选题】

A、图（a）是限定源扩散，图（b）恒定源扩散

B、图（a）、（b）都是限定源扩散

C、图（a）、（b）都是恒定源扩散

D、图（a）是恒定源扩散，图（b）限定源扩散

2、【单选题】扩散掺杂，扩散区要比掩膜窗口尺寸 ，这是 效应引起的，它直接影响超大规模集成电路的集成度。

A、大，横向扩散

B、小，横向扩散

C、大，场助扩散

D、大，氧化增强

3、【多选题】扩散系数在何时不可以看成是常数：

A、在中等浓度p型硅上扩散掺入n型杂质；

B、在重掺杂p型硅上扩散掺入n型杂质；

C、在本征硅上扩散掺入中等浓度的杂质硼。

D、在本征硅上扩散掺入高浓度的杂质硼，同时进行氧化。

4、【判断题】一扩散，采取两歩工艺：预淀积温度高（1200℃）时间长（50min），再分布温度低（970℃）时间短（30min），杂质近似为服从高斯分布。

A、正确

B、错误

5、【填空题】在p-Si中扩磷13分钟，测得结深为0.5μm，为使结深达到1.5μm，在原条件下还要扩 分钟。（只保留整数）

A、

第五讲 作业

1、【单选题】在离子注入掺杂时，有少部分杂质进入衬底后穿过较大距离，这种现象就是 。当偏离晶向 ψc注入时，可以避免。

A、沟道效应，<

B、沟道效应，>

C、横向效应，<

D、横向效应，>

2、【单选题】形成B的超浅结掺杂（剂量为QB)时，为了避免沟道效应可否先注入锑（剂量为QSb）再注入硼？实际注入了多少硼？

A、不可以

B、可以，实际注硼：QB+QSb

C、可以，实际注硼：QB-QSb

D、可以，实际注硼：QB

3、【多选题】基于LSS理论，判断对下图分析的对错：

A、该入射离子是低能注入；

B、该入射离子是高能注入；

C、入射离子在靶中由A运动到B主要受到靶原子核阻滞；

D、入射离子在靶中由A运动到B主要是受到靶电子阻滞；

E、入射离子在靶中由B运动到C主要受到靶原子核阻滞；

F、入射离子在靶中由B运动到C主要是受到靶电子阻滞。

4、【多选题】关于离子注入区形成非晶层的临界剂量，下面哪几种说法正确：

A、注入离子越轻，临界剂量越小；

B、靶温升高，临界剂量上升；

C、注入离子能量越高，临界剂量越低；

D、注入离子剂量率增大，临界剂量降低。

5、【判断题】离子注入硼无需退火就有电活性，所以才会出现随退火温度升高反而电激活率下降的逆退火现象。

A、正确

B、错误

期中测验

1、【单选题】在p-Si中扩磷20分钟，测得结深为0.5μm，为使结深达到0.8μm，在原条件下还要扩散多长时间？

A、51.2min

B、31.2min

C、117min

D、104min

2、【单选题】在已扩散结深达0.8μm的p-Si上再进行湿氧，氧化层厚0.2μm时，结深是多少?(湿氧速率很快, 短时间的氧化可忽略磷向硅内部的推进)

A、0.088μm

B、0.712μm

C、0.512μm

D、0.6μm

3、【多选题】掺杂浓度分布如下图，请判断对错：

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